基于氣相離子在弱電場(chǎng)中的遷移率來(lái)檢測識別不同種類(lèi)物質(zhì)的一種常壓分析化學(xué)方法,又被成為常壓質(zhì)譜。
離子遷移譜在環(huán)境氣壓條件下進(jìn)行工作.。特別適合于一些揮發(fā)性有機化合物的痕量探測,爆炸物、化學(xué)戰劑和大氣污染物等。
IMS系統的核心部分是遷移管,遷移管分為電離區和遷移區兩部分,中間以離子門(mén)分隔開(kāi)。被測樣品被加熱氣化后,由載氣帶入電離區,載氣分子和樣品分子在離子源放射性Ni的作用下發(fā)生一系列的電離反應和離子-分子反應,形成各種產(chǎn)物離子。在電場(chǎng)的作用下,這些產(chǎn)物離子通過(guò)周期性開(kāi)啟的離子門(mén)進(jìn)入遷移區。一方面從電場(chǎng)獲得能量作定向漂移, 另一方面與逆向流動(dòng)的中性遷移氣體分子不斷碰撞而損失能量,由于這些產(chǎn)物離子的質(zhì)量, 所帶電荷, 碰撞截面和空間構型各不相同, 故在電場(chǎng)中各自遷移速率不同,使得不同的離子到達探測器上的時(shí)間不同而得到分離。
離子遷移譜技術(shù)的中心部件是漂移管,工作原理如下:
首先被檢測的樣品蒸汽或微粒氣化后經(jīng)過(guò)一層半浸透膜濾除其中的煙霧、無(wú)機分子和水分子等雜質(zhì),然后被載氣攜帶進(jìn)入漂移管的反響區。在反響區內,樣品氣首先被63Ni放射源發(fā)射的射線(xiàn)電離,構成產(chǎn)物離子,在反響區電場(chǎng)的作用下,產(chǎn)物離子移向離子門(mén)。
控制離子門(mén)的開(kāi)關(guān)脈沖,構成周期性進(jìn)入漂移區的離子脈沖。在漂移電場(chǎng)的作用下,產(chǎn)物離子沿軸向向搜集電極漂移。離子的遷移率依賴(lài)于其質(zhì)量、尺寸和所帶電荷。
不同物質(zhì)生成的產(chǎn)物離子在同一電場(chǎng)下的遷移率不同,因而經(jīng)過(guò)整個(gè)漂移區長(cháng)度所用的漂移時(shí)間也不同。在已知漂移區長(cháng)度和漂移區內電場(chǎng)條件下,丈量出離子經(jīng)過(guò)漂移區抵達搜集電極所用的時(shí)間,就能夠計算出離子的遷移率(遷移率的定義是指在單位電場(chǎng)強度作用下離子的漂移速度),從而能夠辨識被檢測物品種;
經(jīng)過(guò)丈量離子峰的面積,就能夠預算出被檢測物的濃度;經(jīng)過(guò)改動(dòng)反響區和漂移區電場(chǎng)方向,IMS漂移管能夠同時(shí)監測正負離子。因而,能夠同時(shí)監測多種化學(xué)物質(zhì)。